یاد نشانی پذیر محتوای سه تایی (TCAM) نسبت به یاد دسترسی تصادفی ایستا (SRAM) مستعد خطاهای قابل انعطاف میباشد. نقص والا di/dt در حین عملیات مقایسه، محدوده ولتاژ عملیاتی را کاهش میدهد، که به نوبه خویش ایمنی خطای قابل انعطاف را کاهش میدهد. جفت ساختاری سفت مدارهای مقایسه TCAM و سلول های خاطر اذن نمی دهد اسکرابر صنعتی که یک طرح پیاده سازی درهم در کاهش خطاهای قابل انعطاف وجود داشته باشد. تطهیر منظم محتوای ذخیره گردیده میتواند تا حد متعددی ایراد قابلیت و امکان یقین ناشی از خطاهای قابل انعطاف را کم کند. با این هم اکنون، شستشوی مکرر نیز میتواند بر کارایی دستگاه تأثیر بگذارد. مسافت شستشو می بایست برای تسهیل قابلیت و امکان اعتقاد و باور و همت رقم بخورد. این نوشتهی علمی یک رویه تازه بر اساس سبک را سفارش مینماید که دربرگیرنده هر دو نقص تک بیتی (SBUs) و upsets تعدادی سلولی (MCUs) برای گزینش مسافت منزهسازی با چک نرخ ناکامی پیشبینیکننده و احتمالی میباشد.
یاد نشانی پذیر محتوای سه تایی (TCAM) نسبت به یاد دسترسی تصادفی ایستا (SRAM) مستعد خطاهای قابل انعطاف میباشد. نقص والا di/dt در حین عملیات مقایسه، محدوده ولتاژ عملیاتی را کاهش میدهد، که به نوبه خویش ایمنی خطای قابل انعطاف را کاهش میدهد. جفت ساختاری سفت مدارهای مقایسه TCAM و سلول های خاطر اذن نمی دهد اسکرابر صنعتی که یک طرح پیاده سازی درهم در کاهش خطاهای قابل انعطاف وجود داشته باشد. تطهیر منظم محتوای ذخیره گردیده میتواند تا حد متعددی ایراد قابلیت و امکان یقین ناشی از خطاهای قابل انعطاف را کم کند. با این هم اکنون، شستشوی مکرر نیز میتواند بر کارایی دستگاه تأثیر بگذارد. مسافت شستشو می بایست برای تسهیل قابلیت و امکان اعتقاد و باور و همت رقم بخورد. این نوشتهی علمی یک رویه تازه بر اساس سبک را سفارش مینماید که دربرگیرنده هر دو نقص تک بیتی (SBUs) و upsets تعدادی سلولی (MCUs) برای گزینش مسافت منزهسازی با چک نرخ ناکامی پیشبینیکننده و احتمالی میباشد.